Компания Samsung Electronics объявила, что приступила к серийному производству самых современных модулей памяти DDR4 объёмом 8 Гб, а вместе с ними приступила к производству первых модулей оперативной памяти DDR32 объёмом 4 Гб, предназначенных для корпоративных серверов. Эти новые ОЗУ производятся с использованием нового 20-нм производственного процесса, который сегодня используется для производства даже самых передовых мобильных процессоров. Samsung утверждает, что эти модули памяти отвечают всем требованиям высокой производительности, высокой плотности и энергосбережения в корпоративных серверах нового поколения.
Кроме того, новыми модулями DDR8 4 ГБ компания Samsung завершила всю линейку модулей DRAM, изготовленных по 20-нм техпроцессу. Сегодня в эту серию входят модули LPDDR6 емкостью 3 Гбит/с для мобильных устройств и модули DDR4 емкостью 3 Гбит/с для ПК. Затем, как упоминалось выше, Samsung начинает производить модули памяти RDIMM емкостью 32 ГБ, которые обеспечивают скорость передачи данных 2 Мбит/с на контакт, что на 400% выше производительности по сравнению со скоростью передачи данных серверной памяти DDR29 со скоростью 1 Мбит/с. Но возможности этой технологии не ограничиваются 866 ГБ, и компания Samsung заявила, что с помощью технологии 3D TSV можно разработать модуль памяти объемом до 32 ГБ. Преимуществом новых модулей также является упомянутое меньшее потребление, поскольку этим чипам DDR3 требуется напряжение 128 В, что на данный момент является минимально возможным напряжением.
//
//
*Источник: Samsung
