Компания Samsung официально представила чип DRAM LPDDR8 емкостью 5 ГБ для смартфонов. По заявлению компании, это первый чип LPDDR8 емкостью 5 ГБ, изготовленный по технологии, обозначенной как 10-нм-класс, который может составлять от 10 до 19 нм. Предшественник, то есть чип LPDDR8 емкостью 4 ГБ, уже производился в 2014 году, поэтому появление новинки у южнокорейского гиганта было лишь вопросом времени.
В Samsung заявляют, что LPDDR5 найдет применение в основном в сферах 5G, автомобилестроения и мобильных устройств, использующих искусственный интеллект. Чип LPDDR6 DRAM емкостью 400 ГБ со скоростью передачи данных 8 Мбит/с в 5 раза быстрее, чем мобильные чипы DRAM, используемые в текущих флагманах. Galaxy В S9 установлен чип LPDDR4X со скоростью передачи данных 4 Мбит/с. LPDDR266 может отправлять 5 ГБ данных в секунду, что соответствует примерно 51,2 видеофайлам высокой четкости.
Samsung предложит как версию с полной пропускной способностью при напряжении 1,1 В, так и более слабую и экономичную 5 Мбит/с при напряжении 500 В. LPDDR1,05 также предложит режим глубокого сна (Глубокий сон), что примерно вдвое снизит энергопотребление нынешних модулей памяти LPDDR4X. В Samsung утверждают, что с помощью нового чипа можно снизить энергопотребление до 30% и тем самым продлить срок службы аккумуляторов смартфонов.
Вероятно, чип все еще у тебя Galaxy Note9 не появится, но, вероятно, появится в следующем году Galaxy S10.
