Хотя Samsung еще не представила ни того, ни другого. Galaxy S9 и об этом уже начинают рассуждать Galaxy С10. Судя по всему, флагман, который южнокорейский гигант представит в следующем году, должен иметь более мощный чип, чем в этом году. Galaxy С9. Сердце международной версии Galaxy S9 — это Exynos 9810, а американская версия — Snapdragon 845. Samsung пришлось придерживаться 10-нм техпроцесса, но 7-нм чипы должны появиться в смартфонах уже в следующем году, т.е. Galaxy S10.
Вчера Qualcomm представила Snapdragon X24, новый модем LTE для смартфонов, который обещает теоретическую скорость загрузки до 2 Гбит/с. Qualcomm утверждает, что это первый модем LTE категории 20, поддерживающий такие высокие скорости. Таким образом, Snapdragon X24 станет первым модемом LTE, построенным на архитектуре 7 нм.
Qualcomm заявила, что модем появится на коммерческих устройствах позднее в этом году, поэтому он не дебютирует с чипом Snapdragon 845, который используется в версии для США. Galaxy С9. Snapdragon 845 оснащен модемом Snapdragon X20 LTE.
Хотя Qualcomm не подтвердила, что будущий процессор, то есть Snapdragon 855, будет производиться по 7-нм техпроцессу. Это всего лишь предположение, основанное на профиле LinkedIn одного из сотрудников поставщика.
Таким образом, Snapdragon 855, который будет иметь модем Snapdragon X24, станет первым 7-нм мобильным процессором в мире. И Galaxy S10 станет первым смартфоном с таким процессором.
Источник: SamMobile
