Сегодня компания Samsung объявила о массовом производстве первой в мире памяти DDR128 емкостью 4 ГБ. Однако не ждите, что оперативная память будет такой, которой нашим компьютерам будет стыдно на рынке. Это воспоминания, предназначенные непосредственно для дата-центров и серверов компаний, поэтому они доступны только крупным заказчикам, а не обычным пользователям вроде меня или вас. Таким образом, Samsung продолжает прошлогодний прорыв, когда компания первой в мире анонсировала память DDR64 емкостью 4 ГБ, использующую технологию 3D TSV.
Модуль памяти DDR128 емкостью 4 ГБ, представленный сегодня компанией Samsung, состоит из 144 микросхем, которые объединены в набор из 36 блоков DRAM по 4 ГБ. Каждый из них содержит четыре чипа памяти емкостью 8 ГБ, изготовленные по 20-нм техпроцессу. Они накладываются друг на друга с помощью технологии TSV, преимуществом которой является более быстрая передача сигнала и, следовательно, более быстрая память. Кроме того, они имеют относительно низкий расход, что оценят не только такие компании, как Apple, относительно известная команда, которая заботится об экологии. В результате это означает скорость передачи 2400 Мбит/с, т.е. почти в два раза больше по сравнению с классической памятью, и при этом на 50% экономичнее. Однако на этом планы не заканчиваются. В ближайшем будущем Samsung планирует показать память со скоростью передачи данных до 3 Мбит/с.
*Источник: BusinessWire
