Прага, 20 марта 2015 г. - Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых технологий памяти, представляет высокопроизводительную 128-битную память NAND емкостью 3 ГБ для мобильных устройств, основанную на технологии Embedded MultiMedia.Carд (эММС) 5.0. Флагманы среди смартфонов уже переходят на 128 ГБ памяти на базе стандартов Universal Flash Storage (UFS) 2.0 или EMMC 5.1. Аналогичным образом, даже смартфоны среднего класса теперь смогут увеличить свою емкость до 128 GB спасибо новому репозиторию Samsung 3-битная NAND eMMC 5.0. Этот чип памяти имеет самая большая емкость в рамках стандарта eMMC 5.0.
«С выпуском нашей серии 3-битных устройств eMMC 5.0 на базе NAND мы рассчитываем стать лидером в расширении мобильных хранилищ большой емкости. Мы продолжаем развивать нашу мобильную память с улучшенной производительностью и большей емкостью, чтобы удовлетворить растущий спрос клиентов в индустрии мобильных телефонов». сказал доктор. Юнг-Бэ Ли, старший вице-президент группы планирования и разработки приложений для памяти в Samsung Electronics.
Последовательное чтение данные нового хранилища eMMC 128 емкостью 5.0 ГБ от Samsung работают со скоростью 260 Мб / с. Это та же производительность, что и у памяти MLC eMMC 5.1 на базе NAND. Случайная производительность чтения и записи je 6000 IOPSсоответственно. 5000 IOPS, который достаточно быстр для поддержки видео высокой четкости и расширенных функций многозадачности. По сравнению с внешними картами памяти эти скорости чтения и записи составляют примерно 4 раза a в 10 раз выше.
Новая 3-битная серия eMMC 5.0 расширяет бизнес Samsung от поставок твердотельных накопителей для центров обработки данных, серверов и компьютеров до всего рынка мобильных хранилищ. Samsung продолжит внедрять 3-битную флэш-память NAND посредством разработки высокопроизводительных и емких решений, а также продолжит укреплять конкурентоспособность своего бизнеса в области технологий памяти.
//
//
