Закрыть объявление

20нм-4Гб-DDR3-03Компания Samsung Electronics объявила, что только что начала массовое производство новых модулей оперативной памяти LPDDR6 емкостью 3 ГБ для мобильных устройств. Компания будет производить новую оперативную память с помощью 20-нм производственного процесса, что отразится на снижении энергопотребления на 10% и увеличении производительности до 30%. Каждый вывод этих модулей памяти имеет скорость передачи 2,133 Мбит/с.

Чипы также на 20% меньше по сравнению с предыдущими модулями, если принять во внимание набор из четырех модулей памяти, расположенных рядом друг с другом. Таким образом, набор из четырех модулей памяти способен обеспечить телефону 3 ГБ оперативной памяти, поскольку каждый модуль памяти обеспечивает объем памяти 768 МБ. Здесь видно, что у Samsung, вероятно, еще больше времени, чтобы проснуться до высокого предела в 3 ГБ ОЗУ, и только где-то в конце следующего года мы сможем начать фантазировать о том, что наш мобильный телефон телефоны имеют такой же объем оперативной памяти, как и наши компьютеры.

// 20нм-4Гб-DDR3-01

//

*Источник: SammyHub

Сегодня самое читаемое

.