Сегодня компания Samsung начала массовое производство своих новых модулей DRAM DRAM с использованием 3-нанометрового производственного процесса. Эти новые модули имеют емкость 20 ГБ, то есть 4 МБ. Однако доступная память отдельных модулей не является их основной особенностью. Прогресс заключается именно в использовании нового производственного процесса, который приводит к снижению энергопотребления до 512% по сравнению со старым 25-нанометровым процессом.
Переход на 20-нм технологию также является последним шагом, который отделяет компанию от начала производства модулей памяти по 10-нм техпроцессу. Технология, используемая в настоящее время для новых модулей, также является самой передовой на рынке и может использоваться не только с компьютерами, но и с мобильными устройствами. Для компьютеров это означает, что Samsung теперь может создавать чипы того же размера, но со значительно большей оперативной памятью. Samsung также пришлось модифицировать существующую технологию, чтобы иметь возможность уменьшать размеры чипов, сохраняя при этом текущий метод производства.
- Вас может заинтересовать: Samsung разработала первую мобильную DRAM-память LPDDR8 емкостью 4 ГБ
